貼片電容介質是以COG/NPO為I類介質的高頻電容，其溫度系數為±30ppm/℃，電容量非常穩定，幾乎不隨溫度、電壓和時間的變化而變化，主要應用于 高頻電子線路，如振蕩、計時電路等;其容量精度主要為±5，以及在容量低于10pF時，可選用B檔(±0.1pF)、C檔(±0.25pF)、D檔 (±0.5pF)三種精度。

   不同品種的電容，最高使用頻率不同。小型云母電容在250MHZ以內;圓片型瓷介電容為300MHZ;圓管型瓷介電容為200MHZ;圓盤型瓷介可達3000MHZ;小型紙介電容為80MHZ;中型紙介電容只有8MHZ。

   以Y5V為III類介質的低頻電容，其溫度系數為：+30～-80，電容量受溫度、電壓、時間變化較大，一般只適用于各種濾波電路中。其容量精度主要為Z檔(+80～-20)，也可選擇±20精度的產品。

   任何絕緣體的本征介質強度都會因為材料微結構中物理缺陷的存在而出現下降,而且和絕緣電阻一樣,介質強度也與幾何尺寸密切相關.由于材料體積增大會導致缺陷隨機出現的概率增大,因此介質強度反比于介質層厚度.類似地,介質強度反比于片式電容內部電極層數和其物理尺寸.基於以上考慮,進行片式電容留邊量設計時需要確保在使用過程中和在進行耐壓測試(一般為其工作電壓的2.5倍)時,不發生擊穿失效。

   貼片電容介質強度表征的是介質材料承受高強度電場作用而不被電擊穿的能力,通常用伏特/密爾(V/mil)或伏特/厘米(V/cm)表示. 當外電場強度達到某一臨界值時,材料晶體點陣中的電子克服電荷恢復力的束縛并出現場致電子發射,產生出足夠多的自由電子相互碰撞導致雪崩效應,進而導致突發擊穿電流擊穿介質,使其失效.除此之外,介質失效還有另一種模式,高壓負荷下產生的熱量會使介質材料的電阻率降低到某一程度,如果在這個程度上延續足夠長的時間,將會在介質最薄弱的部位上產生漏電流.這種模式與溫度密切相關,介質強度隨溫度提高而下降.

   正確選擇一顆貼片電容時，除了要提供其規格尺寸及容量大小外，還必須特別注意到電路對這顆片式電容的溫度系數、額定電壓等參數的要求。貼片電容標準命名方法及定義：貼片電容的命名，國內和國外的產家有一此區別但所包含的參數是一樣的。